IBMs 3D-RAM soll Geschwindigkeitsrekorde brechen

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IBM hat ein neues RAM-Design vorgestellt, bei dem die Speicherzellen dreidimensional aufgebaut sind. So sollen Speicherzugriffe wesentlich schneller als bei herkömmlicher Bauweise möglich sein.

IBM entwickelt das neue RAM zusammen mit Micron. Der Hybrid Memory Cube (HMC) wird in 32-Nanometer-Fertigungstechnik hergestellt und soll 15mal schneller sein als aktuelles RAM. Das Geheimnis liegt in den Through-Silicon-Vias (Silizium-Durchkontaktierung), einer Verbindungstechnik in der Halbleiterfertigung. Vertikale Stäbchen verbinden Chipstapel miteinander.

HMC-Prototypen erreichen einen Datendurchsatz von 128 Gigabytes pro Sekunde (GB/s). Zum Vergleich: Derzeitiges RAM erreicht nur 12,8 GB/s. Außerdem benötigt das 3D-RAM 70 Prozent weniger Strom und ist deutlich kleiner. [Adrian Covert / Andreas Donath]

[Via IBM/ Physorg]

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