Samsung überrascht mit leistungsfähigen SSDs

Samsung 32TB SAS SSD (Bild: Samsung)

Auf dem Flash Memory Summit 2016 hat Samsung zahlreiche neue SSD-Produkte vorgestellt, die auf Speicherkapazitäten von bis 32 TByte reichen. Auch neue Lösungen für flashbasierte Speichersysteme und die neueste, vierte Generation des Vertical NAND (V-NAND) wurde gezeigt.

Samsung hat in Kalifornien anlässlich des Flash Memory Summit 2016 sein 64-Layer-Triple-Level-Cell-V-NAND-Flash-Memory der vierten Generation vorgestellt. Dabei sind 64 Lagen von Cell Arrays übereinandergelegt, was die Datendichte und die Geschwindigkeit enorm erhöht. Seit August 2013 hat Samsung drei Generationen von V-NAND-Produkten mit 24, 32 und 48 Lagen Vertical Cell-Array Stacking-Technik eingeführt. Das Unternehmen plant, die weltweit ersten 64-Layer-V-NAND Flash-Memory-Produkte der vierten Generation im vierten Quartal des Jahres auszuliefern.

Samsungs neuestes Serial Attached SCSI (SAS) SSD basiert bereits auf besagten 512-Gigabit-V-NAND-Chips. Insgesamt sind 512 V-NAND-Chips in 16 Lagen übereinander gestapelt, um ein 1-Terabyte-Package zu bilden.

Ab 2017 in Produktion

Das neue 32-Terabyte-SSD 32TB SAS SSD enthält 32 dieser Packages. Durch den Einsatz des neuen V-NAND-Designs der vierten Generation kann die Platte Samsung zufolge den System-Platzbedarf um das 40fache gegenüber einem System gleichen Typs mit zwei Racks mit HDDs (Hard Disk Drives) reduzieren. Das 32TB SAS SSD wird im 2,5-Zoll-Formfaktor angeboten und soll 2017 in Produktion gehen. Die Samsung PM1633a mit 15 TByte, die bis dato größte verfügbaren SSD, ist inzwischen bei Online-Händlern für rund 10.000 Dollar erhältlich. Samsung erwartet, dass SSDs mit über 100 TByte Speicherkapazität im Jahr 2020 zur Verfügung stehen werden.
(Bild: Samsung)
Neu ist auch das 1TB BGA SSD im extrem kompakten BGA-Gehäusedesign (Ball Grid Array), das alle erforderlichen SSD-Komponenten einschließlich Triple-Level-Cell V-NAND Flash-Chips, LPDDR4 Mobile DRAM und einen Controller von Samsung enthält. Das SSD-Laufwerk liest mit 1.500 MB/s beziehungsweise schreibt mit 900 MB/s. Da die Abmessungen gegenüber seinem Vorgänger um bis zu 50 Prozent verringert werden konnten, wiegt das SSD nur etwa ein Gramm und eignet sich – so der Hersteller – damit ideal für ultrakompakte Notebooks, Tablets und Convertibles der nächsten Generation.

Samsung zeigt noch mehr

Für nächstes Jahr plant Samsung die Vorstellung eines 1TB BGA SSD mit einer High-Density Packaging-Technologie namens „FO-PLP“ (Fan-out Panel Level Packaging), die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat.

Letzte Neuvorstellung ist die Z-SSD, die sich durch eine extrem niedrige Latenz auszeichnen soll. Die Z-SSD weist die grundlegende Struktur von V-NAND auf und verfügt über ein einzigartiges Schaltungsdesign beziehungsweise einen Controller zur Maximierung der Leistungsfähigkeit. Erreicht wird eine vier Mal schnellere Latenz und 1,6 Mal schnelleres sequenzielles Lesen gegenüber der Samsung PM963 NVMe (NVM Express respektive Non-Volatile Memory Express) SSD.
Samsung 32TB SAS SSD (Bild: Samsung)
Die Z-SSD ist für Systeme gedacht, die extrem intensive Echtzeitanalysen durchführen und allen Arten von Arbeitslasten eine hohe Leistungsfähigkeit zur Verfügung stellen müssen.

Auch Seagate hat auf dem Flash Memory Summit mit der 60 TB SAS SSD und der 8 TB Nytro XP7200 zwei neue Flash-Produkte vorgestellt, die für den Einsatz in Rechenzentren ausgelegt sind. Die 60 TB SAS SSD, die sich zurzeit noch im Demonstrationsstadium befindet, wird voraussichtlich im Laufe des Jahres 2017 verfügbar gemacht. Die 8 TB Nytro XP7200 NVMe SSD soll Ende 2016 über Seagates Channel-Partner angeboten werden. Zu den Preisen liegen noch keine Informationen vor.

Tags :Quellen:Mit Material von Anja Schmoll-Trautmann

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