Qualcomm Snapdragon 835: technische Details verraten

Qualcomm Snapdragon

Demnächst wird Qualcomm den neuen Snapdragon 835 präsentieren. Nun sind schon vorab weitere technische Details zum Octa-Core-Prozessor in die Öffentlichkeit geraten. Sie waren auf Präsentationsfolien zu erkennen.

Die acht Kerne des neuen Chips gliedern sich in vier Kyro-280-Einheiten mit hoher Taktung sowie vier niedriger getaktete Kerne. Letztere sollen die  meisten Aktionen stromsparend ausführen und somit den Energiebedarf im Vergleich zum Snapdragon 801 halbieren. Einige Details hatte Qualcomm bereits im November bekanntgegeben, die offizielle Vorstellung des kommenden Snapdragon 835 wird aber vermutlich auf der Consumer Electronis Show (CES) von 5. bis 8. Januar in Las Vegas stattfinden.

Im Vergleich zum Vierkerner Snapdragon 820 sollen die Kryo-280-Einheiten außerdem für eine Leistungssteigerung um 20 Prozent bei Nutzungsszenarios wie Virtual Reality, App-Ladezeiten und Websurfen sorgen. Nicht allen Rechenkernen wird dabei aber ständig Leistung abgefordert.

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Während nämlich ein Cluster von vier Kryo-Kernen mit einer Taktrate von 2,45 GHz laufen und damit bei Bedarf für hohe Leistung sorgen kann, bilden die weiteren vier Einheiten ein „Effizienz-Cluster“, das nur mit einer Taktrate bis zu 1,9 GHz ausgereizt wird. Für rundum mehr Effizienz will Qualcomm 80 Prozent der Rechenzeit diesen besonders stromsparenden Kernen zuteilen, die damit den größten Teil der Aufgaben erledigen könnten.

Schon in der Vorankündigung wies der Chiphersteller auf die Fertigung im 10-Nanometer-Verfahren hin. Gegenüber den im 14-Nanometer-Verfahren hergestellten Vorgängern Snapdragon 820 und Snapdragon 821 soll die Chipgröße um 30 Prozent sinken. Die geringere Größe erlaube die Entwicklung dünnerer Smartphones oder von Geräten mit größeren Akkus.

 (Bild: VideoCardz)

Cluster-Optimierung für mehr Effizienz und zugleich hohe abrufbare Leistung (Bild: VideoCardz)

Kleinere Strukturen bedeuten in der Regel aber auch geringe Stromverluste und damit eine bessere Energieeffizienz. Qualcomm stellte daher 40 Prozent weniger Stromverbrauch und zugleich 27 Prozent mehr Performance in Aussicht, wozu auch ein neues Chip-Design beitragen sollte.

Wie aus den Präsentationsfolien jetzt weiter hervorgeht, unterstützt die integrierte GPU Adreno 540 eine 4K-Auflösung bei 60 fps. Sie soll außerdem im Vergleich zur Adreno 530 beim Rendering einen Leistungssprung um rund 25 Prozent bringen und 60 mal mehr Displayfarben darstellen. Qualcomm nennt außerdem einen insgesamt um 50 Prozent geringeren Energieverbrauch im Vergleich zum Snapdragon 801, der in vielen verbreiteten Smartphones verbaut wurde. Der Hersteller wählte hier allerdings einen Vergleich zu einem Prozessor von Anfang 2014. Unabhängige Tests bleiben abzuwarten, merkt 9to5Google an, um zu bestimmen, ob es wirklich eine spürbare Verbesserung gibt.

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Die Fertigung des Snapdragon 835 hat bereits begonnen. Erste Geräte mit dem neuen Chip sollen im ersten Halbjahr 2017 in den Handel kommen. Mit ihrer Präsentation ist auf dem Ende Februar stattfindenden Mobile World Congress (MWC) in Barcelona zu rechnen. Als relativ wahrscheinlicher Kandidat gilt Samsungs kommendes Flaggschiff-Smartphone Galaxy S8. Es soll angeblich mit einer auf 4K gesteigerten Displayauflösung kommen, was mit entsprechenden Leistungsanforderungen verbunden ist. Auch die bisherige Zusammenarbeit von Qualcomm und Samsung spricht dafür. Das im vergangenen Jahr anlässlich des MWC präsentierte Galaxy S7 war eines der ersten Smartphones mit Qualcomms Snapdragon 820.

Tags :Via:Mit Material von Bernd Kling, ZDNet.de

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